Substrato di PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

Name: Substrato di PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

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Certificazione

Porcellana Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. Certificazioni

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Substrato di PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

Grande immagine : Substrato di PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	Kinheng
Certificazione:	ISO

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1pc
Prezzo:	Negotiable
Imballaggi particolari:	scatola della schiuma
Tempi di consegna:	4-6 settimane
Termini di pagamento:	T/T, Paypal
Capacità di alimentazione:	10000pcs/year

Contatto

Substrato di PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

descrizione

Struttura:	R3m, romboedrico	grata:	a0 ~ 4.024 Å
Punto di fusione (℃):	1280	Densità (g/cm3):	8.1
Coefficiente piezoelettrico d33:	>2000 pezzi/n	Perdita dielettrica:	tan d <0,9
Composizione chimica:	( PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x	Composizione:	vicino al confine di fase morfotropica
Evidenziare:	Wafer a semiconduttore di PMN-PT , Substrato di monocristallo di R3m , Wafer a semiconduttore di Kinheng

Alto substrato di coppia elettromeccanico di monocristallo di coefficiente PMN-PT

L'a cristallo di PMN-PT è conosciuto per il suo estremamente alto coefficiente di coppia elettromeccanico, l'alto coefficiente piezoelettrico, l'alto sforzo e la perdita dielettrica bassa.

Proprietà:

Composizione chimica	(PbMg 0,33 N.B.: 0,67) 1-x: (PbTiO3) x
Struttura	R3m, romboedrico
Grata	a0 ~ 4.024Å
Punto di fusione (℃)	1280
Densità (g/cm3)	8,1
Coefficiente piezoelettrico d33	>2000 pC/N
Perdita dielettrica	abbronzi la d <0>
Composizione	vicino alla frontiera morphotropic di fase

Vantaggio:

scorrevolezza 1.High
corrispondenza di grata 2.High (MCT)
densità di dislocazione 3.Low
trasmissione infrarossa 4.High

Colpi del prodotto:

Substrato di PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal 0

FAQ:

1.Q: Siete un produttore della fabbrica?

: Sì, siamo produttore con 13 anni di esperienza di industria di cristallo di scintillatore ed abbiamo fornito a molte marche famose buona qualità e servizio.

2.Q: Dove è il vostro mercato principale?

: Europa, America, Asia.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Ivan. wang

Telefono: 18964119345

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Orientamento: (211), (111)

Resistività: >106Ω.Cm

Alto substrato infrarosso singolo Crystal Substrate di GaAs di trasmissione

Scelta verniciata: Nessuno, si, Cr, Fe, Zn

Dimensioni (millimetri): 10x10mm

Rugosità di superficie: Rugosità di superficie (Ra): <= 5A

Lucidatura: Lato singolo o doppio lucidato (norma è SSP)

Infrarosso del wafer a semiconduttore di GE del substrato di GE ed industria di IC

Metodo di crescita: Metodo di Czochralski

Struttura di cristallo: M3

Costante delle cellule di unità: a=5.65754 Å

Densità (g/cm3): 5,323

Substrato termico eccellente del wafer del carburo di silicio delle proprietà meccaniche sic

Oggetto: 4H a 2 pollici N tipo

diametro: 2inch (50.8mm)

Spessore: 350+/-25um

Orientamento: fuori dall'asse 4.0˚ verso il ± 0.5˚ di <1120>

Sic efficienza di velocità veloce del wafer a semiconduttore piccola forte grande redditizia

Nome di prodotto: Sic substrato, sic wafer a semiconduttore

Nome completo: Carburo di silicio Crystal Substrate

formula chimica: Sic

Grado 1: Grado di produzione

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