Dettagli:
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Nome di prodotto: | Wafer a semiconduttore di GE | formula chimica: | GE |
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Dimensione: | 10x3,10x5,10x10,15x15, 20x15,20x20, dia2» x 0.33mm dia2» x 0.43mm 15 x 15 millimetri | Spessore: | 0.5mm, 1.0mm |
Applicazione: | Dispositivo a semiconduttore, microelettronica, sensore, pila solare, ottica di IR. | Vantaggio: | Proprietà cristallografiche eccellenti e proprietà elettriche uniche |
Struttura di cristallo: | Cubico | Parametro della grata: | a=0.565754 |
conducibilità termica: | 59,9 | ||
Evidenziare: | semiconduttore Crystal Wafer di 0.5mm,wafer di GE di 1.0mm,Semiconduttore Crystal Wafer |
Pila solare del sensore e wafer infrarosso a semiconduttore di GE di applicazioni di ottica
Il wafer a semiconduttore di GE è un elementare ed il materiale popolare a semiconduttore, dovuto le sue proprietà cristallografiche eccellenti e le proprietà elettriche uniche, wafer di GE widly è utilizzato in sensore, nella pila solare e nelle applicazioni infrarosse dell'ottica.
Proprietà:
Metodo di crescita | Metodo di Czochralski | ||
Crystal Structure | M3 | ||
Costante delle cellule di unità | a=5.65754 Å | ||
Densità (g/cm3) | 5,323 | ||
Punto di fusione (℃) | 937,4 | ||
Materiale verniciato | Nessun verniciato | Sb-verniciato | In/GA – verniciato |
Tipo | / | N | P |
Resistività | >35Ωcm | 0.05Ωcm | 0.05~0.1Ωcm |
EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
Dimensione | 10x3,10x5,10x10,15x15, 20x15,20x20, | ||
dia2» x 0.33mm dia2» x 0.43mm 15 x 15 millimetri | |||
Spessore | 0.5mm, 1.0mm | ||
Lucidatura | Singolo o doppio | ||
Crystal Orientation | <100><110><111>, ±0.5º | ||
Ra | ≤5Å (5µm×5µm) |
Vantaggio:
1.Sb/N ha verniciato
verniciare 2.No
3.Semiconductor
Colpi del prodotto:
FAQ:
1.Q: Siete un produttore della fabbrica?
: Sì, siamo produttore con 13 anni di esperienza di industria di cristallo di scintillatore ed abbiamo fornito a molte marche famose buona qualità e servizio.
2.Q: Dove è il vostro mercato principale?
: Europa, America, Asia.
Persona di contatto: Ivan. wang
Telefono: 18964119345