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ULTIMO metodo di crescita di Czochralski del substrato del cristallo non cristallino della perovskite

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Certificazione
Porcellana Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. Certificazioni
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ULTIMO metodo di crescita di Czochralski del substrato del cristallo non cristallino della perovskite

ULTIMO metodo di crescita di Czochralski del substrato del cristallo non cristallino della perovskite
ULTIMO metodo di crescita di Czochralski del substrato del cristallo non cristallino della perovskite

Grande immagine :  ULTIMO metodo di crescita di Czochralski del substrato del cristallo non cristallino della perovskite

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: Kinheng
Certificazione: ISO
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1pc
Prezzo: Negotiable
Imballaggi particolari: scatola della schiuma
Tempi di consegna: 4-6 settimane
Termini di pagamento: T/T, Paypal
Capacità di alimentazione: 10000pcs/year
Contatto

ULTIMO metodo di crescita di Czochralski del substrato del cristallo non cristallino della perovskite

descrizione
Metodo di crescita: Czochralski Nome di prodotto: ULTIMO substrato
Nome completo: Substrato di alluminio di monocristallo del Tantalate dello Lantanio-stronzio formula chimica: (LaAlO3) 0,3 (Sr2TaAlO6) 0,7 o (La0.18Sr0.82) (Al0.59Ta0.41) O3
Crystal Orientatio: (100), (110), (111) Spessore: 0.5mm e 1.0mm disponibili
Lucidatura di superficie: Singola lucidatura laterale, doppia lucidatura laterale Rugosità: Ra < 0,5 nanometri
Evidenziare:

ULTIMO substrato Czochralski

,

Cristallo non cristallino della perovskite

,

ULTIMO substrato 6.5Mho

Substrato di cristallo di monocristallo del substrato della perovskite non cristallina ULTIMO

 

Ha L'ULTIMA VOLTA il sistema cristallino della perovskite ed è comunemente usato come substrato di monocristallo per la crescita della struttura cubica sottile epitassiale di films.LAST e un parametro della grata di 3,868 Å lo rende compatibile per la crescita epitassiale di una vasta gamma di film sottile dell'ossido della perovskite con uno sforzo relativamente basso.

 

Proprietà:

 

Metodo di crescita Crescita della CZ
Crystal System Cubico
Costante cristallografica della grata a= 3,868 A
Densità (g/cm3) 6,74
Punto di fusione (℃) 1840
Durezza (Mho) 6,5
Conducibilità termica 10x10-6 K

 

Vantaggio:

1. Superconduttori ad alta temperatura

 

Colpi del prodotto:

ULTIMO metodo di crescita di Czochralski del substrato del cristallo non cristallino della perovskite 0

 

FAQ:

1.Q: Siete un produttore della fabbrica?

: Sì, siamo produttore con 13 anni di esperienza di industria di cristallo di scintillatore ed abbiamo fornito a molte marche famose buona qualità e servizio.

 

2.Q: Dove è il vostro mercato principale?

: Europa, America, Asia.

Prodotto Tag:

Substrato di monocristallo MgAl2O4,

Substrato cubico di monocristallo,

M3 singolo Crystal Substrate

Dettagli di contatto
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Persona di contatto: Ivan. wang

Telefono: 18964119345

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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